МТТ7-3-10-8 SCR-module Spec

МТТ7-3-10-8 ELECTRICAL SPECIFICATIONS

   Type: SCR-module
   Maximum repetitive peak and off-state voltage (V_DRM): 500 V
   Maximum average on-state current (I_T(AVR)): 20 A
   Maximum RMS on-state current (I_T(RMS)): 31 A
   Non repetitive surge peak on-state current (I_TSM): 250 A
   Critical repetitive rate of rise of on-state current (dI/dt): 100 A/µs
   Critical rate of rise of off-state voltage (dV/dt): 1000 V/µs
   Maximum operating junction and storage temperature range (T_stg, T_j): -40..125 °C
   Junction to ambient thermal resistance (R_TH(j-a)): 5.7 K/W
   Junction to case thermal resistance (R_TH(j-c)): 1.2 K/W
   Triggering gate voltage (V_GT): 2.5 V
   Peak on-state voltage drop (V_TM): 1.65 V
   Triggering gate current (I_GT): 60 mA
   Holding current (I_H): 70 mA

МТТ7-3-10-8 Replacements

Type
	< P_GM <	W
	< V_DRM <	V
	< I_T(AVR) <	A
	< I_T(RMS) <	A
	< I_TSM <	A
	< dI/dt <	A/µs
	< dV/dt <	V/µs
T_stg, T_j	>	°C
R_TH(j-a)	<	K/W
R_TH(j-c)	<	K/W
V_GT	<	V
V_TM	<	V
I_GT	<	mA
I_H	<	mA
Package		+ similar ones

- Replacements for SCR and Triac

МТТ7-3-10-8 Spec

Page #1

Page #2

Description

МОДУЛИ ТИРИСТОРНЫЕ И КОМБИНИРОВАННЫЕ МТТ7/3, МТД7/3 и МДТ7/3 Общие сведения Модули МТТ7/3, МТД7/3, МДТ7/3 состоят из двух полупроводниковых структур (тиристорных, диодных) в пластмассовом корпусе с беспотенциальным основанием. Представлены следующими типо- исполнениями:

🌐 : EN ES РУ

LIST

Last Update

SCR: ТС243-800 | ТС243-630 | ТС243-500

SCR & TRIAC. МТТ7-3-10-8 PDF. Equivalents Search