МТ-Д3-115-32-F SCR-module DATASHEET
МТ-Д3-115-32-F ELECTRICAL SPECIFICATIONS
Type: SCR-module
Maximum repetitive peak and off-state voltage (VDRM): 400 V
Maximum average on-state current (IT(AVR)): 100 A
Maximum RMS on-state current (IT(RMS)): 157 A
Non repetitive surge peak on-state current (ITSM): 2000 A
Critical repetitive rate of rise of on-state current (dI/dt): 125 A/µs
Critical rate of rise of off-state voltage (dV/dt): 1000 V/µs
Maximum operating junction and storage temperature range (Tstg, Tj): -40..125 °C
Junction to case thermal resistance (RTH(j-c)): 0.3 K/W
Triggering gate voltage (VGT): 3 V
Peak on-state voltage drop (VTM): 1.55 V
Triggering gate current (IGT): 150 mA
Holding current (IH): 120 mA
МТ-Д3-115-32-F Datasheet
Page #1
Page #2
Description
ПРОТОН-ЭЛЕКТРОТЕКС Изолированное основание Двухпозиционный Корпус промышленного стандарта Тиристорный Модуль Упрощенная механическая конструкция, MTx-115-36-F быстрая сборка Прижимная конструкция Средний прямой ток ITAV 115 A Повторяющееся импульсное напряжение
LIST
Last Update
SCR: ТС243-800 | ТС243-630 | ТС243-500 | ТС243-1000 | ТС171-320 | ТС171-250 | ТС165-80-9 | ТС165-80-8 | ТС165-80-6 | ТС165-80-5 | ТС165-80-4 | ТС165-80-2 | ТС165-80-12 | ТС165-80-11 | ТС165-80-10 | ТС165-63-9 | ТС165-63-8 | ТС165-63-6 | ТС165-63-5 | ТС165-63-4 |