ТБИ173-2000 SCR Spec

ТБИ173-2000 ELECTRICAL SPECIFICATIONS

 

   Type: SCR
   Maximum repetitive peak and off-state voltage (V_DRM): 1400 V
   Maximum average on-state current (I_T(AVR)): 160 A
   Maximum operating junction and storage temperature range (T_stg, T_j): ..125 °C
   Junction to case thermal resistance (R_TH(j-c)): 0.1 K/W
   Peak on-state voltage drop (V_TM): 1.85 V

 

ТБИ173-2000 Replacements

Type
	< PGM <		W
	< VDRM <		V
	< IT(AVR) <		A
	< IT(RMS) <		A
	< ITSM <		A
	< dI/dt <		A/µs
	< dV/dt <		V/µs
Tstg, Tj	>		°C
RTH(j-a)	<		K/W
RTH(j-c)	<		K/W
VGT	<		V
VTM	<		V
IGT	<		mA
IH	<		mA
Package			+ similar ones

 SEARCH - Replacements for SCR and Triac

 

ТБИ173-2000 Spec

Page #1

Page #2

Description

ПРОТОН-ЭЛЕКТРОТЕКС Быстродействующий Низкие динамические потери Импульсный Тиристор Малый заряд обратного восстановления Разветвленный управляющий электрод для Тип ТБИ173-2000-12 высоких скоростей нарастания тока Средний прямой ток ITAV 2000 A Повторяющееся импуль