All Transistors. SCR. ТБИ373-2000 Datasheet

 

ТБИ373-2000 SCR DATASHEET

ТБИ373-2000 ELECTRICAL SPECIFICATIONS

 

   Type: SCR
   Maximum repetitive peak and off-state voltage (VDRM): 1200 V
   Maximum average on-state current (IT(AVR)): 2000 A
   Maximum operating junction and storage temperature range (Tstg, Tj): ..125 °C
   Junction to case thermal resistance (RTH(j-c)): 0.01 K/W
   Peak on-state voltage drop (VTM): 2.15 V

 

ТБИ373-2000 Replacements

Type
< PGM < W
< VDRM < V
< IT(AVR) < A
< IT(RMS) < A
< ITSM < A
< dI/dt < A/µs
< dV/dt < V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Package + similar ones

  - Replacements for SCR and Triac

 

ТБИ373-2000 Datasheet

Page #1

ТБИ373-2000
 datasheet

Page #2

ТБИ373-2000
 datasheet #2

Description

ПРОТОН-ЭЛЕКТРОТЕКС Быстродействующий Низкие динамические потери Импульсный Тиристор Малый заряд обратного восстановления Разветвленный управляющий электрод для Тип ТБИ373-2000-25 высоких скоростей нарастания тока Средний прямой ток ITAV 2000 A Повторяющееся импуль

 
Back to Top