All Transistors. SCR. ТБ142-50-12 Datasheet

 

ТБ142-50-12 SCR DATASHEET

ТБ142-50-12 ELECTRICAL SPECIFICATIONS

 

   Type: SCR
   Maximum repetitive peak and off-state voltage (VDRM): 400 V
   Maximum average on-state current (IT(AVR)): 63 A
   Maximum RMS on-state current (IT(RMS)): 99 A
   Non repetitive surge peak on-state current (ITSM): 1300 A
   Critical repetitive rate of rise of on-state current (dI/dt): 160 A/µs
   Critical rate of rise of off-state voltage (dV/dt): 1000 V/µs
   Maximum operating junction and storage temperature range (Tstg, Tj): -50..125 °C
   Junction to ambient thermal resistance (RTH(j-a)): 2.52 K/W
   Junction to case thermal resistance (RTH(j-c)): 0.3 K/W
   Triggering gate voltage (VGT): 3 V
   Peak on-state voltage drop (VTM): 2.3 V
   Triggering gate current (IGT): 150 mA
   Holding current (IH): 250 mA

 

ТБ142-50-12 Replacements

Type
< PGM < W
< VDRM < V
< IT(AVR) < A
< IT(RMS) < A
< ITSM < A
< dI/dt < A/µs
< dV/dt < V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Package + similar ones

  - Replacements for SCR and Triac

 

ТБ142-50-12 Datasheet

Page #1

ТБ142-50-12
 datasheet

Page #2

ТБ142-50-12
 datasheet #2

Description

ТИРИСТОРЫ БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЕ ТБ142-50, ТБ142-63, ТБ152-80, ТБ152-100 Тиристоры быстродействующие предназначены для работы в цепях постоянного и переменно- го тока различных силовых электротехнических установок, в которых требуется небольшое время выключения и включения, высок

 
Back to Top