All Transistors. SCR. ТБ142-63-5 Datasheet

 

ТБ142-63-5 SCR DATASHEET

ТБ142-63-5 ELECTRICAL SPECIFICATIONS

 

Type: SCR

Maximum repetitive peak and off-state voltage (VDRM): 500 V

Maximum average on-state current (IT(AVR)): 63 A

Maximum RMS on-state current (IT(RMS)): 99 A

Non repetitive surge peak on-state current (ITSM): 1300 A

Critical repetitive rate of rise of on-state current (dI/dt): 160 A/µs

Critical rate of rise of off-state voltage (dV/dt): 1000 V/µs

Maximum operating junction and storage temperature range (Tstg, Tj): -50..125 °C

Junction to ambient thermal resistance (RTH(j-a)): 2.52 K/W

Junction to case thermal resistance (RTH(j-c)): 0.3 K/W

Triggering gate voltage (VGT): 3 V

Peak on-state voltage drop (VTM): 2.3 V

Triggering gate current (IGT): 150 mA

Holding current (IH): 250 mA

 

ТБ142-63-5 Replacements

SYMBOL VALUES UNITS
Type
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Package

 

Replacement Search

 

ТБ142-63-5 Datasheet

Page #2

ТБ142-63-5
 datasheet

Page #2

ТБ142-63-5
 datasheet #2

Description

ТИРИСТОРЫ БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЕ ТБ142-50, ТБ142-63, ТБ152-80, ТБ152-100 Тиристоры быстродействующие предназначены для работы в цепях постоянного и переменно- го тока различных силовых электротехнических установок, в которых требуется небольшое время выключения и включения, высок

 
Back to Top