All Transistors. SCR. ТБ143-500 Datasheet

 

ТБ143-500 SCR DATASHEET

ТБ143-500 ELECTRICAL SPECIFICATIONS

 

   Type: SCR
   Maximum repetitive peak and off-state voltage (VDRM): 100 V
   Maximum average on-state current (IT(AVR)): 80 A
   Maximum RMS on-state current (IT(RMS)): 126 A
   Non repetitive surge peak on-state current (ITSM): 2500 A
   Critical repetitive rate of rise of on-state current (dI/dt): 160 A/µs
   Critical rate of rise of off-state voltage (dV/dt): 1000 V/µs
   Maximum operating junction and storage temperature range (Tstg, Tj): -50..125 °C
   Junction to ambient thermal resistance (RTH(j-a)): 2.43 K/W
   Junction to case thermal resistance (RTH(j-c)): 0.23 K/W
   Triggering gate voltage (VGT): 3 V
   Peak on-state voltage drop (VTM): 2.3 V
   Triggering gate current (IGT): 200 mA
   Holding current (IH): 250 mA

 

ТБ143-500 Replacements

Type
< PGM < W
< VDRM < V
< IT(AVR) < A
< IT(RMS) < A
< ITSM < A
< dI/dt < A/µs
< dV/dt < V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Package + similar ones

  - Replacements for SCR and Triac

 

ТБ143-500 Datasheet

Page #1

ТБ143-500
 datasheet

Page #2

ТБ143-500
 datasheet #2

Description

ПРОТОН-ЭЛЕКТРОТЕКС Быстродействующий Низкие динамические потери Тиристор Разветвленный управляющий электрод для Тип ТБ143-500-22 высоких скоростей нарастания тока Средний прямой ток ITAV 500 A Повторяющееся импульсное напряжение в UDRM закрытом состоянии 2000 ÷ 2200 В

 
Back to Top