All Transistors. SCR. ТБ233-400 Datasheet

 

ТБ233-400 SCR DATASHEET

ТБ233-400 ELECTRICAL SPECIFICATIONS

 

   Type: SCR
   Maximum repetitive peak and off-state voltage (VDRM): 1200 V
   Maximum average on-state current (IT(AVR)): 200 A
   Maximum RMS on-state current (IT(RMS)): 314 A
   Non repetitive surge peak on-state current (ITSM): 6600 A
   Critical repetitive rate of rise of on-state current (dI/dt): 800 A/µs
   Critical rate of rise of off-state voltage (dV/dt): 1000 V/µs
   Maximum operating junction and storage temperature range (Tstg, Tj): -60..125 °C
   Junction to ambient thermal resistance (RTH(j-a)): 1.21 K/W
   Junction to case thermal resistance (RTH(j-c)): 0.08 K/W
   Triggering gate voltage (VGT): 3.5 V
   Peak on-state voltage drop (VTM): 2.4 V
   Triggering gate current (IGT): 300 mA
   Holding current (IH): 300 mA

 

ТБ233-400 Replacements

Type
< PGM < W
< VDRM < V
< IT(AVR) < A
< IT(RMS) < A
< ITSM < A
< dI/dt < A/µs
< dV/dt < V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Package + similar ones

  - Replacements for SCR and Triac

 

ТБ233-400 Datasheet

Page #1

ТБ233-400
 datasheet

Page #2

ТБ233-400
 datasheet #2

Description

ТИРИСТОРЫ БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЕ ТБ233-250, ТБ233-320, ТБ233-400, ТБ243-400, ТБ243-500, ТБ243-630 Тиристоры быстродействующие предназначены для работы в цепях постоянного и переменно- го тока различных силовых электротехнических установок, в которых требуется небольшое время выключения и

 
Back to Top