ТБ233-400 SCR Spec
ТБ233-400 ELECTRICAL SPECIFICATIONS
Type: SCR
Maximum repetitive peak and off-state voltage (VDRM): 1200 V
Maximum average on-state current (IT(AVR)): 200 A
Maximum RMS on-state current (IT(RMS)): 314 A
Non repetitive surge peak on-state current (ITSM): 6600 A
Critical repetitive rate of rise of on-state current (dI/dt): 800 A/µs
Critical rate of rise of off-state voltage (dV/dt): 1000 V/µs
Maximum operating junction and storage temperature range (Tstg, Tj): -60..125 °C
Junction to ambient thermal resistance (RTH(j-a)): 1.21 K/W
Junction to case thermal resistance (RTH(j-c)): 0.08 K/W
Triggering gate voltage (VGT): 3.5 V
Peak on-state voltage drop (VTM): 2.4 V
Triggering gate current (IGT): 300 mA
Holding current (IH): 300 mA
ТБ233-400 Spec
Page #1
Page #2
Description
ТИРИСТОРЫ БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЕ ТБ233-250, ТБ233-320, ТБ233-400, ТБ243-400, ТБ243-500, ТБ243-630 Тиристоры быстродействующие предназначены для работы в цепях постоянного и переменно- го тока различных силовых электротехнических установок, в которых требуется небольшое время выключения и


