ТБ261-125 SCR DATASHEET

ТБ261-125 ELECTRICAL SPECIFICATIONS

 

   Type: SCR
   Maximum repetitive peak and off-state voltage (V_DRM): 1100 V
   Maximum average on-state current (I_T(AVR)): 250 A
   Maximum RMS on-state current (I_T(RMS)): 393 A
   Non repetitive surge peak on-state current (I_TSM): 7200 A
   Critical repetitive rate of rise of on-state current (dI/dt): 800 A/µs
   Critical rate of rise of off-state voltage (dV/dt): 1000 V/µs
   Maximum operating junction and storage temperature range (T_stg, T_j): -60..125 °C
   Junction to ambient thermal resistance (R_TH(j-a)): 1.21 K/W
   Junction to case thermal resistance (R_TH(j-c)): 0.08 K/W
   Triggering gate voltage (V_GT): 3.5 V
   Peak on-state voltage drop (V_TM): 2.3 V
   Triggering gate current (I_GT): 300 mA
   Holding current (I_H): 300 mA

 

ТБ261-125 Replacements

Type
	< PGM <		W
	< VDRM <		V
	< IT(AVR) <		A
	< IT(RMS) <		A
	< ITSM <		A
	< dI/dt <		A/µs
	< dV/dt <		V/µs
Tstg, Tj	>		°C
RTH(j-a)	<		K/W
RTH(j-c)	<		K/W
VGT	<		V
VTM	<		V
IGT	<		mA
IH	<		mA
Package			+ similar ones

 SEARCH - Replacements for SCR and Triac

 

ТБ261-125 Datasheet

Page #1

Page #2

Description

ПРОТОН-ЭЛЕКТРОТЕКС Штыревой Прижимная конструкция Быстродействующий Низкие динамические потери Тиристор Разветвленный управляющий электрод для высоких скоростей нарастания тока Тип TБ261-125-14 Средний прямой ток ITAV 125 A Повторяющееся импульсное напряжение в