Т243-630-10 SCR Spec
Т243-630-10 ELECTRICAL SPECIFICATIONS
Type: SCR
Maximum repetitive peak and off-state voltage (VDRM): 1200 V
Maximum average on-state current (IT(AVR)): 800 A
Maximum RMS on-state current (IT(RMS)): 1260 A
Non repetitive surge peak on-state current (ITSM): 15400 A
Critical repetitive rate of rise of on-state current (dI/dt): 200 A/µs
Critical rate of rise of off-state voltage (dV/dt): 1600 V/µs
Maximum operating junction and storage temperature range (Tstg, Tj): -60..125 °C
Junction to ambient thermal resistance (RTH(j-a)): 0.54 K/W
Junction to case thermal resistance (RTH(j-c)): 0.03 K/W
Triggering gate voltage (VGT): 3 V
Peak on-state voltage drop (VTM): 1.65 V
Triggering gate current (IGT): 250 mA
Holding current (IH): 300 mA
Т243-630-10 Spec
Page #1
Page #2
Description
ПРОТОН-ЭЛЕКТРОТЕКС Низкочастотный Высокая стойкость к Тиристор электротермоциклированию Низкие статические и динамические потери Тип Т243-630-18 Разработан для промышленного применения Средний прямой ток ITAV 630 A Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом U


