All Transistors. SCR. Т243-630-12 Datasheet

 

Т243-630-12 SCR DATASHEET

Т243-630-12 ELECTRICAL SPECIFICATIONS

 

   Type: SCR
   Maximum repetitive peak and off-state voltage (VDRM): 1600 V
   Maximum average on-state current (IT(AVR)): 800 A
   Maximum RMS on-state current (IT(RMS)): 1260 A
   Non repetitive surge peak on-state current (ITSM): 15400 A
   Critical repetitive rate of rise of on-state current (dI/dt): 200 A/µs
   Critical rate of rise of off-state voltage (dV/dt): 1600 V/µs
   Maximum operating junction and storage temperature range (Tstg, Tj): -60..125 °C
   Junction to ambient thermal resistance (RTH(j-a)): 0.54 K/W
   Junction to case thermal resistance (RTH(j-c)): 0.03 K/W
   Triggering gate voltage (VGT): 3 V
   Peak on-state voltage drop (VTM): 1.65 V
   Triggering gate current (IGT): 250 mA
   Holding current (IH): 300 mA

 

Т243-630-12 Replacements

Type
< PGM < W
< VDRM < V
< IT(AVR) < A
< IT(RMS) < A
< ITSM < A
< dI/dt < A/µs
< dV/dt < V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Package + similar ones

  - Replacements for SCR and Triac

 

Т243-630-12 Datasheet

Page #1

Т243-630-12
 datasheet

Page #2

Т243-630-12
 datasheet #2

Description

ПРОТОН-ЭЛЕКТРОТЕКС Низкочастотный Высокая стойкость к Тиристор электротермоциклированию Низкие статические и динамические потери Тип Т243-630-18 Разработан для промышленного применения Средний прямой ток ITAV 630 A Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом U

 
Back to Top