Т273-2500-14 SCR DATASHEET
Т273-2500-14 ELECTRICAL SPECIFICATIONS
Type: SCR
Maximum repetitive peak and off-state voltage (VDRM): 900 V
Maximum average on-state current (IT(AVR)): 3200 A
Maximum RMS on-state current (IT(RMS)): 5025 A
Non repetitive surge peak on-state current (ITSM): 66000 A
Critical repetitive rate of rise of on-state current (dI/dt): 250 A/µs
Critical rate of rise of off-state voltage (dV/dt): 1600 V/µs
Maximum operating junction and storage temperature range (Tstg, Tj): -60..140 °C
Junction to ambient thermal resistance (RTH(j-a)): 0.21 K/W
Junction to case thermal resistance (RTH(j-c)): 0.01 K/W
Triggering gate voltage (VGT): 3 V
Peak on-state voltage drop (VTM): 1.75 V
Triggering gate current (IGT): 250 mA
Holding current (IH): 300 mA
Т273-2500-14 Datasheet
Page #1
Page #2
Description
Òèðèñòîðû òàáëåòî÷íîé êîíñòðóêöèè ÒÈÐÈÑÒÎÐÛ Ò273-1600, Ò273-2000, T273-2500 Ò673-1600, Ò673-2000, T673-2500 75±1 75±1 Вывод анода 120 max 110 max Вывод управляющего электрода 3.5 х2.3 min 2 отв. Дополнительный вывод катода Ðазмеры, мм Масса, г, Òип тиристора Усилие сжатия, Н А L1min L2min не более Т273-1600,
LIST
Last Update
SCR: ТС243-800 | ТС243-630 | ТС243-500 | ТС243-1000 | ТС171-320 | ТС171-250 | ТС165-80-9 | ТС165-80-8 | ТС165-80-6 | ТС165-80-5 | ТС165-80-4 | ТС165-80-2 | ТС165-80-12 | ТС165-80-11 | ТС165-80-10 | ТС165-63-9 | ТС165-63-8 | ТС165-63-6 | ТС165-63-5 | ТС165-63-4 |