PWB80A40 Triac DATASHEET
PWB80A40 ELECTRICAL SPECIFICATIONS
Type: Triac
Maximum peak gate power (PGM): 20 W
Maximum repetitive peak and off-state voltage (VDRM): 200 V
Maximum RMS on-state current (IT(RMS)): 8 A
Non repetitive surge peak on-state current (ITSM): 80 A
Critical repetitive rate of rise of on-state current (dI/dt): 70 A/µs
Critical rate of rise of off-state voltage (dV/dt): 25 V/µs
Maximum operating junction and storage temperature range (Tstg, Tj): -40..125 °C
Junction to case thermal resistance (RTH(j-c)): 2.8 K/W
Triggering gate voltage (VGT): 1.5 V
Peak on-state voltage drop (VTM): 1.6 V
Triggering gate current (IGT): 35 mA
Holding current (IH): 35 mA
Package: TO220AB
PWB80A40 Datasheet
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Description
(非絶縁形) サイリスタモジュール PWB80A SanRexサイリスタモジュール Bシリーズは三相半波の サイリスタモジュールで、低圧の三相整流回路に最適です。 (特徴) 93. ma 80 2 φ . ● 平均電流80A (各素子) K3 K2 K1 K2 2 3 2 1 ● 高サージ電流2 00A ( 0H 時) K1 1 ● モジュールタイプなので、組立てが簡単です。 3 K3 1 . 23 23 3 M ● 非絶縁形。取付ベース部が
LIST
Last Update
SCR: ТС243-800 | ТС243-630 | ТС243-500 | ТС243-1000 | ТС171-320 | ТС171-250 | ТС165-80-9 | ТС165-80-8 | ТС165-80-6 | ТС165-80-5 | ТС165-80-4 | ТС165-80-2 | ТС165-80-12 | ТС165-80-11 | ТС165-80-10 | ТС165-63-9 | ТС165-63-8 | ТС165-63-6 | ТС165-63-5 | ТС165-63-4 |