All Transistors. KT502E Datasheet

 

KT502E Datasheet, Equivalent, Cross Reference Search

Type Designator: KT502E

Material of Transistor: Si

Polarity: PNP

Maximum Collector Power Dissipation (Pc): 0.35 W

Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|: 80 V

Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|: 80 V

Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|: 20 V

Maximum Collector Current |Ic max|: 0.15 A

Max. Operating Junction Temperature (Tj): 175 °C

Transition Frequency (ft): 5 MHz

Collector Capacitance (Cc): 50 pF

Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN: 80

Noise Figure, dB: -

KT502E Transistor Equivalent Substitute - Cross-Reference Search

 

KT502E Datasheet (PDF)

5.1. kt502a-b-v-g-d-e.pdf Size:687K _russia

KT502E

5.2. kt502.pdf Size:212K _integral

KT502E
KT502E

КТ502 кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный p-n-p транзистор Назначение Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы. Предназначены для использования в низкочастотных устройствах аппаратур

Datasheet: KT501J , KT501K , KT501L , KT501M , KT501V , KT502A , KT502B , KT502D , 9015 , KT502G , KT502V , KT503A , KT503B , KT503D , KT503E , KT503G , KT503V .

Back to Top

 


KT502E
  KT502E
  KT502E
 

social 

LIST

Last Update

BJT: US6H23 | UMH9NFHA | UMH8NFHA | UMH6NFHA | UMH5NFHA | UMH4NFHA | UMH3NFHA | UMH33N | UMH32N | UMH2NFHA | UMH1NFHA | UMH14NFHA | UMH14N | UMH11NFHA | UMH10NFHA | UMD9NFHA | UMD6NFHA | UMD5N | UMD4N | UMD3NFHA |