All Transistors. KT6117A Datasheet

 

KT6117A Datasheet, Equivalent, Cross Reference Search

Type Designator: KT6117A

Material of Transistor: Si

Polarity: NPN

Maximum Collector Power Dissipation (Pc): 0.625 W

Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|: 160 V

Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|: 5 V

Maximum Collector Current |Ic max|: 0.6 A

Max. Operating Junction Temperature (Tj): 150 °C

Transition Frequency (ft): 100 MHz

Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN: 60

Noise Figure, dB: -

KT6117A Transistor Equivalent Substitute - Cross-Reference Search

 

KT6117A Datasheet (PDF)

4.1. kt6117.pdf Size:193K _integral

KT6117A
KT6117A

КТ6117 кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор Назначение Транзистор n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный. Предназначен для использования в высокочастотных устройствах аппаратуры широко

5.1. kt611a-b-v-g.pdf Size:517K _russia

KT6117A

5.2. kt6111.pdf Size:194K _integral

KT6117A
KT6117A

КТ6111 кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор Назначение Транзистор n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный. Предназначен для использования в узлах и блоках радиоэлектронной аппаратуры, изг

5.3. kt6112.pdf Size:193K _integral

KT6117A
KT6117A

КТ6112 кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный p-n-p транзистор Назначение Транзистор p-n-p кремниевый эпитаксиально-планарный. Предназначен для использования в узлах и блоках радиоэлектронной аппаратуры, изг

5.4. kt6113.pdf Size:192K _integral

KT6117A
KT6117A

КТ6113 кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор Назначение Транзистор n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный. Предназначен для использования в высокочастотных устройствах, в узлах и блоках р

5.5. kt6110.pdf Size:190K _integral

KT6117A
KT6117A

КТ6110 кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор Назначение Транзистор n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный. Предназначен для использования в выходных усилителях портативной радиоаппарату

5.6. kt6115.pdf Size:195K _integral

KT6117A
KT6117A

КТ6115 кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный p-n-p транзистор Назначение Транзистор p-n-p кремниевый эпитаксиально-планарный. Предназначен для использования в выходных усилителях портативной радиоаппарату

5.7. kt6116.pdf Size:192K _integral

KT6117A
KT6117A

КТ6116 кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный p-n-p транзистор Назначение Транзистор p-n-p кремниевый эпитаксиально-планарный. Предназначен для использования в высокочастотных устройствах аппаратуры широко

5.8. kt6114.pdf Size:195K _integral

KT6117A
KT6117A

КТ6114 кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор Назначение Транзистор n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный. Предназначен для использования в высокочастотных устройствах, в узлах и блоках р

Datasheet: KT6114V , KT6115A , KT6115B , KT6115D , KT6115E , KT6115G , KT6115V , KT6116A , TIP41 , KT611A , KT611AM , KT611B , KT611BM , KT611G , KT611V , KT6127A , KT6127B .

 


KT6117A
  KT6117A
  KT6117A
 

social 

LIST

Last Update

BJT: EMT3FHA | EMT3 | EMT2FHA | EMT2 | EMT1FHA | EMT1DXV6T5G | EMT1DXV6T1G | EMT18 | EML22 | ECH8503-TL-H | ECH8502-TL-H | E13005D-213 | E13005-250 | E13005-225 | DXTN26070CY | DXTD882 | DXT696BK | DXT5616U | DXT2014P5 | DXT2012P5 |