All Transistors. KT6127E Datasheet

 

KT6127E Datasheet, Equivalent, Cross Reference Search

Type Designator: KT6127E

Material of Transistor: Si

Polarity: PNP

Maximum Collector Power Dissipation (Pc): 0.6 W

Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|: 10 V

Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|: 4 V

Maximum Collector Current |Ic max|: 2 A

Max. Operating Junction Temperature (Tj): 150 °C

Transition Frequency (ft): 150 MHz

Collector Capacitance (Cc): 74 pF

Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN: 50

Noise Figure, dB: -

KT6127E Transistor Equivalent Substitute - Cross-Reference Search

 

KT6127E Datasheet (PDF)

5.1. kt6128.pdf Size:196K _integral

KT6127E
KT6127E

КТ6128 кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор Назначение Транзистор n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный. Предназначен для использования в высокочастотных устройствах аппаратуры широко

Datasheet: KT611AM , KT611B , KT611BM , KT611G , KT611V , KT6127A , KT6127B , KT6127D , 9015 , KT6127G , KT6127I , KT6127J , KT6127K , KT6127V , KT6129A-9 , KT6129B-2 , KT6130A-9 .

 


KT6127E
  KT6127E
  KT6127E
 

social 

LIST

Last Update

BJT: M54561P | M54532P | M54532FP | M54531WP | M54531P | M54531FP | M54530P | M54530FP | M54522WP | LBCW65ALT1G | LBC858CWT1G | LBC848AWT1G | LBC847CPDW1T1G | LBC846ADW1T1G | LBC817-40DPMT1G | LBC817-40DMT1G | LBC817-25DMT1G | LBC817-16DPMT1G | LBC817-16DMT1G | LBC807-40DMT1G |