All Transistors. 3DD3145A6 Datasheet

 

3DD3145A6 Datasheet, Equivalent, Cross Reference Search

Type Designator: 3DD3145A6

Material of Transistor: Si

Polarity: NPN

Maximum Collector Power Dissipation (Pc): 50 W

Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|: 800 V

Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|: 600 V

Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|: 9 V

Maximum Collector Current |Ic max|: 1.3 A

Max. Operating Junction Temperature (Tj): 150 °C

Transition Frequency (ft): 4 MHz

Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN: 20

Noise Figure, dB: -

Package: TO126

3DD3145A6 Transistor Equivalent Substitute - Cross-Reference Search

 

3DD3145A6 Datasheet (PDF)

1.1. 3dd3145a6.pdf Size:148K _china

3DD3145A6
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硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD3145 A6 产品概述 特征参数 产品特点 ● 开关损耗低 3DD3145 A6 是硅 NPN 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 型功率开关晶体管, VCEO 600 V 该产品 ● 高温特性好 IC 1.3 A 采用平面工艺, 分压环终端 ● 反向击穿电压高 Ptot W (TC=25℃) 50 结构å’

2.1. 3dd3145a8.pdf Size:152K _china

3DD3145A6
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硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD3145 A8 产品概述 特征参数 产品特点 ● 开关损耗低 3DD3145 A8 是硅 NPN 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 型功率开关晶体管, VCEO 700 V 该产品 ● 高温特性好 IC 1.3 A 采用平面工艺, 分压环终端 ● 反向击穿电压高 Ptot W (TC=25℃) 60 结构å’

 3.1. 3dd3145 a8.pdf Size:153K _crhj

3DD3145A6
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硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD3145 A8 产品概述 特征参数 产品特点 ● 开关损耗低 3DD3145 A8 是硅 NPN 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 型功率开关晶体管, VCEO 700 V 该产品 ● 高温特性好 IC 1.3 A 采用平面工艺, 分压环终端 ● 反向击穿电压高 Ptot W (TC=25℃) 60 结构å’

3.2. 3dd3145 a6.pdf Size:151K _crhj

3DD3145A6
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硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD3145 A6 产品概述 特征参数 产品特点 3DD3145 A6 是硅 NPN ● 开关损耗低 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 型功率开关晶体管, VCEO 600 V 该产品 ● 高温特性好 IC 1.3 A 采用平面工艺, 分压环终端 ● 反向击穿电压高 Ptot (TC=25℃) 50 W 结构和å

Datasheet: 3DD3020A6 , 3DD3040A1 , 3DD3040A3 , 3DD3040A4 , 3DD3040A6 , 3DD3040A7 , 3DD3055 , 3DD31 , 2N5088 , 3DD3145A8 , 3DD3150A , 3DD3150A8 , 3DD31A , 3DD31B , 3DD31C , 3DD31CT4 , 3DD3320AN .

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