All Transistors. 3DG2404 Datasheet

 

3DG2404 Datasheet, Equivalent, Cross Reference Search

Type Designator: 3DG2404

SMD Transistor Code: HUB_HUC_HUD

Material of Transistor: Si

Polarity: PNP

Maximum Collector Power Dissipation (Pc): 0.1 W

Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|: 30 V

Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|: 20 V

Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|: 3 V

Maximum Collector Current |Ic max|: 0.015 A

Max. Operating Junction Temperature (Tj): 150 °C

Transition Frequency (ft): 450 MHz

Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN: 40

Noise Figure, dB: -

Package: SOT23

3DG2404 Transistor Equivalent Substitute - Cross-Reference Search

 

3DG2404 Datasheet (PDF)

1.1. 3dg2404.pdf Size:335K _china

3DG2404
3DG2404

2SC2404(3DG2404) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR 用途:用于调频、调幅收音机的射频放大。 Purpose: Suitable for RF amplifier in FM/AM radios. 特点:特征频率高。/Features: High f . T 极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃) 参数符号 数值 单位 Symbol Rating Unit V 30 V CBO V 20 V CEO V 3.0 V EBO I 15 mA C P 100

5.1. 3dg2482h a1.pdf Size:182K _crhj

3DG2404
3DG2404

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DG2482H A1 产品概述 特征参数 产品特点 ● 开关损耗低 3DG2482H A1 是 硅 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 VCEO 400 V NPN 型功率开关晶体管,该 ● 高温特性好 IC 0.45 A 产品采用平面工艺, 分压环 ● 合适的开关速度 Ptot (Ta=25℃) 0.8 W 终端结æž

5.2. 3dg2482s.pdf Size:180K _crhj

3DG2404
3DG2404

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DG2482S 产品概述 特征参数 产品特点 3DG2482S 是硅 NPN 型 ● 开关损耗低 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 VCEO 400 V 功率开关晶体管, 该产品采 ● 高温特性好 IC 0.35 A 用平面工艺, 分压环终端结 ● 合适的开关速度 Ptot (Ta=25℃) 0.8 W 构和少

 5.3. 3dg2458.pdf Size:374K _china

3DG2404
3DG2404

2SC2458(3DG2458) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR 用途:用于音频放大。 Purpose: Audio frequency amplifier applications. 特点:电流容量大,h 范围宽,极好的 h 特性,低噪声系数,可与 2SA1048(3CG1048)互补。 FE FE Features: High current capability, high DC current gain, excellent h linearity, low FE noise, complementary to 2SA1048(3CG1048).

5.4. 3dg2482.pdf Size:210K _china

3DG2404
3DG2404

2SC2482(3DG2482) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR 用途: 用于高压开关和放大,彩电行激励及色度信号输出。 Purpose: High voltage switching and amplifier, color TV horiz driver, chroma output applications. 特点: 耐压高,集电极输出电容小。 Features: High voltage, small collector output capacitance. 极限参数/Absolute maximum ratings(

 5.5. 3dg2411k.pdf Size:313K _china

3DG2404
3DG2404

2SC2411K(3DG2411K) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR 用途:用于中功率放大。/Purpose: Medium power amplifier applications. 特点:集电极直流电流大,饱和压降低,与 2SA1036K(3CG1036K)互补。 Features: Large I , low V ,complementary pair with the 2SA1036K(3CG1036K). C CE(sat) 极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃) 参数符号 数值 单位

5.6. 3dg2413k.pdf Size:405K _china

3DG2404
3DG2404

2SC2413K(3DG2413K) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR 用途:用于一般高频放大。 Applications: High-frequency amplifier applications. 特点: 共基极输出电容小,。 Features: Low collector capacitance. 极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃) 参数符号 数值 单位 Symbol Rating Unit V 40 V CBO V 25 V CEO V 5.0 V EBO I 50 mA

5.7. 3dg2412k.pdf Size:229K _china

3DG2404
3DG2404

2SC2412K(3DG2412K) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR 用途:用于普通放大。 Purpose: General amplifier. 特点:共基极输出电容小。 Features: Low C ob. 极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃) 参数符号 数值 单位 Symbol Rating Unit V 60 V CBO V 50 V CEO V 7.0 V EBO I 150 mA C P 200 mW C T 150 ℃ j T -55~150 â

5.8. 3dg2482ha1.pdf Size:182K _china

3DG2404
3DG2404

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DG2482H A1 产品概述 特征参数 产品特点 ● 开关损耗低 3DG2482H A1 是 硅 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 VCEO 400 V NPN 型功率开关晶体管,该 ● 高温特性好 IC 0.45 A 产品采用平面工艺, 分压环 ● 合适的开关速度 Ptot (Ta=25℃) 0.8 W 终端结æž

Datasheet: 3DG2235 , 3DG2236 , 3DG2240 , 3DG2274 , 3DG2274K , 3DG2308 , 3DG2383 , 3DG2383T , BC148 , 3DG2411K , 3DG2412K , 3DG2413K , 3DG2458 , 3DG2482 , 3DG2482HA1 , 3DG2500 , 3DG2610 .

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