3DG4 Datasheet, Equivalent, Cross Reference Search

3DG4 Transistor Equivalent Substitute - Cross-Reference Search

3DG4 Datasheet (PDF)

1.1. 3dg44.pdf Size:175K _crhj

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DG44 产品概述 特征参数 产品特点 3DG44 是硅 NPN 型功 ● 开关损耗低 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 率开关晶体管，该产品采 VCEO 400 V IC 0.3 A 用平面工艺，硅单晶重掺 ● 高温特性好 ● 合适的开关速度 Ptot （Ta=25℃） 0.625 W 杂衬底材料，分

1.2. 3dg40005 as-h.pdf Size:144K _crhj

硅 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DG40005 AS-H 产品概述 特征参数 产品特点 3DG40005 AS-H 是硅 ● 高 EB 阻断电压 符 号 额定值 单 位 （VEBO>20V） NPN 型功率开关晶体管， VCEO 400 V IC 50 mA 该产品采用平面工艺，硅 ● 高电压、大 hFE ● 高温特性好 Ptot （Ta=25℃） 0.3 W 重掺杂衬底材料，深基区 ● �

 1.3. 3dg4097.pdf Size:279K _china

2SC4097(3DG4097) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR 用途:用于中功率放大。 Purpose: Medium power transistor. 特点:共基极输出电容小,与 2SA1577(3CG1577)互补。 Features: Low C , complements the 2SA1577(3CG1577). ob 极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃) 参数符号 数值 单位 Symbol Rating Unit V 40 V CBO V 32 V CEO V 5.0

1.4. 3dg42.pdf Size:109K _china

3DG42 型 NPN 硅高频小功率晶体管 参数符号 测试条件 规范值 单位 PCM TA=25℃ 300 mW ICM 500 mA Tjm 175 ℃ Tstg -55~150 ℃ V(BR)CBO ICB=0.1A ≥300 V V(BR)CEO ICE=1.0mA ≥300 V 极 限 V(BR)EBO IEB=0.1A ≥6.0 V 值 ICBO VCB=200V ≤100 nA IEBO VEB=6V ≤100 nA VBEsat IC=20mA ≤0.5 V IB=2mA VCEsat ≤0.9 VCE=10V hFE ≥40 IC=10mA �

 1.5. 3dg4081.pdf Size:215K _china

2SC4081(3DG4081) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR 用途:用于普通放大。 Purpose: General amplifier. 特点:共基极输出电容小。 Features: Low C ob. 极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃) 参数符号 数值 单位 Symbol Rating Unit V 60 V CBO V 50 V CEO V 7.0 V EBO I 150 mA C P 200 mW C T 150 ℃ j T -55～150 ℃

1.6. 3dg4.pdf Size:129K _china

3DG4 型 NPN 硅高频小功率晶体管 规范值 参数符号 测试条件 单位 A B C D E F G PCM 300 mW ICM 30 mA Tjm 175 ℃ Tstg -55~150 ℃ V(BR)CBO ICE=0.1mA ≥20 ≥30 ≥40 ≥20 ≥30 ≥40 ≥50 V V(BR)CEO ICE=0.1mA ≥15 ≥20 ≥30 ≥15 ≥20 ≥30 ≥40 V 极 V(BR)EBO IEB=0.1mA ≥4.0 V 限 ICBO VCE=10V ≤0.1 μA 值 ICEO VCE=10V ≤0.1 μA IEBO

1.7. 3dg4081w.pdf Size:206K _china

2SC4081W(3DG4081W) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR 用途:用于普通放大。 Purpose: General amplifier. 特点:共基极输出电容小。 Features: Low C ob. 极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃) 参数符号 数值 单位 Symbol Rating Unit V 60 V CBO V 50 V CEO V 7.0 V EBO I 150 mA C P 200 mW C T 150 ℃ j T -55～150 �

1.8. 3dg4115s.pdf Size:386K _china

2SC4115S(3DG4115S) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR 用途:用于低频放大。/Purpose: Low frequency amplifier. 特点:饱和压降低，电流增益特性好，与 2SA1585S(3CG1585S)互补。 Features: Low V ,excellent current gain characteristics；complementary pair with CE(sat) 2SA1585S(3CG1585S). 极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃) 参数符号

1.9. 3dg4003.pdf Size:256K _china

2SC4003(3DG4003) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR 用途：主要用于高压驱动。 Purpose: High voltage driver applications. 特点：高击穿电压，极好的放大线性，芯片采用 MBIT 技术。 Features：High breakdown voltage, adoption of MBIT process excellent h linearity. FE 极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃) 参数符号 数值 单�

1.10. 3dg4401.pdf Size:197K _china

2N4401(3DG4401) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR 用途:用于 I 电流达 500mA 的中功率放大及开关电路。 C Purpose: Medium power amplifier and switch requiring collector currents up to 500 mA. 极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃) 参数符号 数值 单位 Symbol Rating Unit V 60 V CBO V 40 V CEO V 6.0 V EBO I 600 mA C P 625

1.11. 3dg458.pdf Size:134K _china

2SC458(3DG458) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR 用途:用于低频放大。 Purpose: Low frequency amplifier. 特点:2SA1029(3CG1029)互补。 Features: Complementary pair with 2SA1029(3CG1029). 极限参数/Absolute Maximum Ratings(Ta=25℃) 参数符号 数值 单位 Symbol Rating Unit V 30 V CBO V 30 V CEO V 5.0 V EBO I 100 mA C I -100 mA E

1.12. 3dg4155a.pdf Size:254K _china

2SC4155(3DG4155) 2SC4155A(3DG4155A) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR 用途: 用于集成电路输出信号的低频电压放大。/Purpose: For hybrid IC,small type machine low frequency voltage amplify application. 特点：集电-发射极饱和压降小 Vce sat =0.3Vmax、直流增益线性好、采用 SOT-23 封装便于安 ( ) 装。/Feature:Small collectoe to e

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BJT: 2SA1897 | KRC664E | KRC663E | SMUN5335DW | MP1526 | 3DD5287 | E3150 | 3DD2499 | 3DD4212DT | 2SC9014 | US6H23 | UMH9NFHA | UMH8NFHA | UMH6NFHA | UMH5NFHA | UMH4NFHA | UMH3NFHA | UMH33N | UMH32N | UMH2NFHA |