P0903BD MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: P0903BD
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 49 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 57 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 23 nC
Время нарастания (tr): 25 ns
Выходная емкость (Cd): 281 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.009 Ohm
Тип корпуса: TO252
P0903BD Datasheet (PDF)
p0903bd.pdf
P0903BDN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID9m @VGS = 10V30V 57ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 20TC= 25 C57IDContinuous Drain CurrentTC= 100 C36AIDM160Pulsed Drain Current1I
p0903bdl.pdf
P0903BDLN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID25V 9.5m @VGS = 10V 56ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 25VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C56IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C35AIDM160Pulsed Drain Current
p0903bda.pdf
P0903BDAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID9m @VGS = 10V30V 56ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 20TC= 25 C56IDContinuous Drain CurrentTC= 100 C35AIDM160Pulsed Drain Current1
p0903bdg.pdf
P0903BDGN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID9.5m @VGS = 10V25V 56ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 25VVGSGate-Source Voltage 20TC= 25 C56IDContinuous Drain CurrentTC= 100 C35AIDM160Pulsed Drain Current1
p0903bdb.pdf
P0903BDBN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID9m @VGS = 10V30V 59ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 20TC= 25 C59IDContinuous Drain CurrentTC= 100 C37AIDM150Pulsed Drain Current1
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF4905 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: IPD70R600CE | AUIRFS3006 | IRFS4010 | STB140NF55 | STB141NF55
History: IPD70R600CE | AUIRFS3006 | IRFS4010 | STB140NF55 | STB141NF55
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: NCE65TF130T | LTP70N06P | HY3506B | HY3506P | DP3080 | CRSS035N10N | CRST037N10N | S85N16S | S85N16RP | S85N16RN | S85N16R | S85N048S | S85N042S | S85N042RP | S85N042RN | S85N042R