Справочник MOSFET. P0903BD

 

P0903BD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: P0903BD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 49 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 57 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 281 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для P0903BD

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P0903BD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:521K  unikc
 p0903bd.pdf pdf_icon

P0903BD

P0903BDN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID9m @VGS = 10V30V 57ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 20TC= 25 C57IDContinuous Drain CurrentTC= 100 C36AIDM160Pulsed Drain Current1I

 0.1. Size:455K  unikc
 p0903bdl.pdf pdf_icon

P0903BD

P0903BDLN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID25V 9.5m @VGS = 10V 56ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 25VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C56IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C35AIDM160Pulsed Drain Current

 0.2. Size:493K  unikc
 p0903bda.pdf pdf_icon

P0903BD

P0903BDAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID9m @VGS = 10V30V 56ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 20TC= 25 C56IDContinuous Drain CurrentTC= 100 C35AIDM160Pulsed Drain Current1

 0.3. Size:532K  unikc
 p0903bdg.pdf pdf_icon

P0903BD

P0903BDGN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID9.5m @VGS = 10V25V 56ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 25VVGSGate-Source Voltage 20TC= 25 C56IDContinuous Drain CurrentTC= 100 C35AIDM160Pulsed Drain Current1

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... P0806AT , P0806ATF , P0806ATX , P0808ATG , P082ABD8 , P0850AT , P0850ATF , P085AATX , AO3401 , P0903BDA , P0903BDB , P0903BDG , P0903BDL , P0603BD , P0603BDB , P0603BDD , P0603BDF .

History: IPW65R190E6 | AP05N50I-HF

 

 
Back to Top

 


 
.