Биполярный транзистор ZTX749 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: ZTX749
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 100 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
Корпус транзистора: TO92
ZTX749 Datasheet (PDF)
ztx749.pdf
ZTX749PNP Low Saturation Transistor This device are designed with high current gain and low saturation voltage with collector currents up to 2A continuous.CTO-226BEAbsolute Maximum Ratings TA=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage -25 VVCBO Collector-Base Voltage -35 VVEBO Emitter-Base Voltage -5 VIC Collector Current -
ztx749.pdf
PNP SILICON PLANAR9 ZTX749MEDIUM POWER TRANSISTORISSUE 1 APRIL 94. T V I V i i I E-LineTO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I IT Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T I T IT DITI II V V I I V I II i V V I I
ztx749a.pdf
ZTX749APNP Low Saturation Transistor This device are designed with high current gain and low saturation voltage with collector currents up to 2A continuous.CTO-226BEAbsolute Maximum Ratings TA=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage -35 VVCBO Collector-Base Voltage -45 VVEBO Emitter-Base Voltage -5 VIC Collector Current -
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 2SC945 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
