NJW0302G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NJW0302G

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 400 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 75

Корпус транзистора: TO3P

 Аналоги (замена) для NJW0302G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NJW0302G даташит

 ..1. Size:80K  onsemi
 njw0281g njw0302g.pdf pdf_icon

NJW0302G

NJW0281G (NPN) NJW0302G (PNP) Preferred Devices Complementary NPN-PNP Power Bipolar Transistors These complementary devices are lower power versions of the popular NJW3281G and NJW1302G audio output transistors. With http //onsemi.com superior gain linearity and safe operating area performance, these transistors are ideal for high fidelity audio amplifier output stages and 15 AMPERES

 ..2. Size:949K  cn evvo
 njw0302g.pdf pdf_icon

NJW0302G

NJW0302G Silicon PNP transistor Power Amplifier Applications Complementary to NJW0281G High collector voltage VCEO=-230V(min) Recommended for 100-W high-fidelity audio frequency amplifier Output stage Note Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the significant change in temperature, etc.) may cause this product to de

 ..3. Size:155K  cn minos
 njw0302g.pdf pdf_icon

NJW0302G

NJW0302G Transistor Silicon PNP Epitaxial Type NJW0302G Power Amplifier Applications Complementaryto NJW0281G High collector voltage VCEO=-230V (min) Recommendedfor 100-Whigh-fidelity audiofrequency amplifier Output stage Note Using continuously under heavy loads (e.g. theapplication of hightemperature/current/voltageandthe significant change intemperature, etc.) may causethis produc

 ..4. Size:240K  inchange semiconductor
 njw0302g.pdf pdf_icon

NJW0302G

isc Silicon PNP Power Transistor NJW0302G DESCRIPTION High Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -250V(Min) (BR)CEO Good Linearity of h FE Complement to Type NJW0281G Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high fidelity audio amplifier and other linear applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: C8050B, C8050C, C8050D, NE685M13, S8050MB, S8050MC, S8050MD, NJW0281G, 2SD2499, 2SC5614, 2SC5800, 2SD2195, 2SD2398, 2SD2004, 2SA1193K, 129NT1A-1, 129NT1B-1