KT829A Transistor Datasheet. Parameters and Characteristics.

Type Designator: KT829A

Material of transistor: Si

Polarity: NPN

Maximum collector power dissipation (Pc), W: 60

Maximum collector-base voltage |Ucb|, V: 100

Maximum collector-emitter voltage |Uce|, V: 0

Maximum emitter-base voltage |Ueb|, V: 5

Maximum collector current |Ic max|, A: 8

Maximum junction temperature (Tj), °C: 150

Transition frequency (ft), MHz: 4

Collector capacitance (Cc), pF:

Forward current transfer ratio (hFE), min: 750

Noise Figure, dB: -

Package of KT829A transistor:

KT829A Equivalent Transistors - Cross-Reference Search

KT829A PDF document for downloads:

1.1. kt829a.pdf Size:33K _no

����������� ���������� n-p-n, ��������� �������� ��829� Ik max,A 8 U��o ��(U��� max)[U��r max],B100 U��� max,B 100 P� max(P max),�� 60 T� max,C 150 h21�(h21�)[S21 ���] 750 ��� U��(U��),B 3 ��� I�(I�),A 3 U�� ���,B 2 I���(I��R),��� 1500 f��(fh21),��� 4 R� �-�(R� �-�),�/�� 2.08

1.2. kt829a-b-v-g.pdf Size:713K _russia

��

5.1. kt8296.pdf Size:194K _integral

КТ8296 кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор Назначение Транзистор n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе предназначен для использования в линейных усилителях, схемах преобразователей напряжения, ключевых схемах и другой радиоэлектронной аппаратуре, изготавливаемой для народного хозяйства Зарубежные прототипы • прототипы KSD882R, O, Y, G Номер технических условий • АДБК. 432150. 265 ТУ Особенности • диапазон рабочих температур от - 40 до + 125 °С Корпусное исполнение • пластмассовый ко�

5.2. kt8290.pdf Size:199K _integral

КТ8290А высоковольтный биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор Назначение Транзистор n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе. Предназначен для использования в импульсных источниках питания, пускорегулирующих устройствах и другой радиоэлектронной аппаратуре, изготавливаемой для народного хозяйства Зарубежные прототипы • прототип - BUH100 Номер технических условий • АДБК. 432140.193 ТУ Особенности • диапазон рабочих температур от - 25 до + 125 °С Корпусное исполнение • пластмассовый корпус КТ-28 (ТО

5.3. kt8297.pdf Size:194K _integral

КТ8297 кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный p-n-p транзистор Назначение Транзистор p-n-p кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе предназначен для использования в линейных усилителях, схемах преобразователей напряжения, ключевых схемах и другой радиоэлектронной аппаратуре, изготавливаемой для народного хозяйства Зарубежные прототипы • прототипы KSB772R, O, Y, G Номер технических условий • АДБК. 432150. 265 ТУ Особенности • диапазон рабочих температур от - 40 до + 125 °С Корпусное исполнение • пластмассовый ко�

See also transistors datasheet: KT826V , KT827A , KT827B , KT827V , KT828A , KT828B , KT828G , KT828V , KT805AM , KT829B , KT829G , KT829V , KT830 , KT830A , KT830G , KT830V , KT834A .

Keywords