KT829A Todos los transistores

 

KT829A . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KT829A
   Código: КТ829А
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 60 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 8 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 4 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 750
 

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KT829A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:33K  no
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KT829A

n-p-n, 829Ik max,A 8Uo (U max)[Ur max],B100U max,B 100P max(P max), 60T max,C 150h21(h21)[S21 ] 750 U(U),B 3 I(I),A 3U ,B 2I(IR), 1500f(fh21), 4R -(R -),/ 2.08

 ..2. Size:213K  inchange semiconductor
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KT829A

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor KT829ADESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 100V(Min)(BR)CEOHigh DC Current Gain: h = 750(Min) @I = 3AFE CLow Saturation VoltageMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use as complementary AF push-pull outputstage applicationsABSOLUTE

 0.1. Size:713K  russia
 kt829a-b-v-g.pdf pdf_icon

KT829A

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History: 2SD1680 | 2SC5100 | NSBA114EDP6T5G | RCP115 | NSDU10 | 2N5012S

 

 
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