KT829A . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KT829A
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 60 W
Tensión colector-base (Vcb): 100 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 8 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 4 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 750
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar KT829A
KT829A Datasheet (PDF)
1.1. kt829a.pdf 
Size:33K _no
Транзисторы биполярные n-p-n, составные Название КТ829А Ik max,A 8 Uкэo гр(Uкэо max)[Uкэr max],B100 Uкбо max,B 100 Pк max(P max),Вт 60 Tп max,C 150 h21э(h21Э)[S21 тип] 750 при Uкб(Uкэ),B 3 при Iэ(Iк),A 3 Uкэ нас,B 2 Iкбо(IкэR),мкА 1500 fгр(fh21),МГц 4 Rт п-к(Rт п-с),С/Вт 2.08
1.2. kt829a-b-v-g.pdf Size:713K _russia
5.1. kt8297.pdf Size:194K _integral
КТ8297 кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный p-n-p транзистор Назначение Транзистор p-n-p кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе предназначен для использования в линейных усилителях, с
5.2. kt8296.pdf Size:194K _integral
КТ8296 кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор Назначение Транзистор n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе предназначен для использования в линейных усилителях, с
5.3. kt8290.pdf Size:199K _integral
КТ8290А высоковольтный биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор Назначение Транзистор n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе. Предназначен для использования в импульсных исто
Otros transistores... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 431 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
