KT829A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KT829A  📄📄 

Código: КТ829А

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 60 W

Tensión colector-base (Vcb): 100 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 4 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 750

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de KT829A

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

KT829A datasheet

 ..1. Size:33K  no
 kt829a.pdf pdf_icon

KT829A

n-p-n, 829 Ik max,A 8 Uo (U max)[Ur max],B100 U max,B 100 P max(P max), 60 T max,C 150 h21(h21)[S21 ] 750 U(U),B 3 I(I),A 3 U ,B 2 I(IR), 1500 f(fh21), 4 R -(R -),/ 2.08

 ..2. Size:213K  inchange semiconductor
 kt829a.pdf pdf_icon

KT829A

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor KT829A DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 100V(Min) (BR)CEO High DC Current Gain h = 750(Min) @I = 3A FE C Low Saturation Voltage Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use as complementary AF push-pull output stage applications ABSOLUTE

 0.1. Size:713K  russia
 kt829a-b-v-g.pdf pdf_icon

KT829A

Otros transistores... KT826V, KT827A, KT827B, KT827V, KT828A, KT828B, KT828G, KT828V, BC549, KT829B, KT829G, KT829V, KT830, KT830A, KT830G, KT830V, KT834A