f3l300r12mt4 b23.pdf Principales características. ALL TRANSISTORS. POWER MOSFET, IGBT, IC, TRIACS DATABASE

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Technische Information / Technical Information IGBT-Module F3L300R12MT4_B23 IGBT-modules EconoDUAL 3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled HE Diode und NTC EconoDUAL 3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and NTC V = 1200V CES I = 300A / I = 600A C nom CRM Typische Anwendungen Typical Applications 3-Level-Applikationen 3-Level-Applications Elektrische Eigenschaften Electrical Features Erweiterte Sperrschichttemperatur T Extended Operation Temperature T vj op vj op Niedrige Schaltverluste Low Switching Losses Niedriges V Low V CEsat CEsat Sehr gro e Robustheit Unbeatable Robustness T = 150 C T = 150 C vj op vj op V mit positivem Temperaturkoeffizienten V with positive Temperature Coefficient CEsat CEsat Mechanische Eigenschaften Mechanical Features