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Cómo elegir un reemplazo para el transistor bipolar

Hay una gran cantidad de transistores bipolares y la mayoría de ellos tienen muchos análogos similares en sus parámetros, por lo que la selección de un reemplazo generalmente no causa dificultades. Por supuesto, reemplazar un transistor quemado por el mismo es la mejor opción, pero si no puede obtenerlo, fácilmente podrá elegir un análogo. Para hacer esto necesitas:

  1. Averigua el nombre del transistor. Si es un dispositivo SMD, decodifique su codificación en la sección códigos SMD 🔗.
  2. Analice el circuito del transistor.
  3. Encuentre la hoja de datos del transistor defectuoso y establezca sus parámetros básicos en el formulario de búsqueda de análogo.
  4. Mirando a través de las hojas de datos de los transistores propuestos, elegimos el análogo más adecuado por los parámetros, considerando los modos de su funcionamiento en el dispositivo.

¿A qué deberia prestar atención?

Después de abrir la hoja de datos en PDF, primero debemos averiguar el tipo de transistor: p-n-p o n-p-n, el tipo de carcasa, la disposición de los pines (pinout).

De los parámetros numéricos, es, ante todo, la máxima corriente y voltaje. En el reemplazo del transistor, la corriente y la tensión máximas deben ser mayores o iguales a la original.

Para un transistor bipolar, un parámetro importante es el coeficiente de transferencia por corriente hfe. Si el transistor está en circuitos clave, hfe debe ser mayor o igual al deseado. Si se encuentra en amplificadores analógicos o dispositivos similares, entonces debería estar similar. En las fuentes de alimentación de impulso, los transistores analógicos también deben seleccionarse con una hfe similar (puede ser necesario cambiar y un transistor functional cual se encuentra en el par).

Es necesario verificar la temperatura (calentamiento) del transistor después de encender el dispositivo. Si el transistor se calienta excesivamente, entonces el problema puede ser tanto en el mismo transistor, tanto en otros elementos defectuosos de su circuito.

Descodificación de los parámetros básicos de los transistores bipolares

Material semiconductor: la mayoría de los transistores serán de germanio o silicio. Otros tipos no se usan en dispositivos convencionales. Teniendo en cuenta este parámetro, se diseñará la esquema de funcionamento de transistor.

Polaridad (conductividad): al instalar un transistor de diferente polaridad, se rompe.

Pc: Disipación total del dispositivo: asegúrese de que el transistor seleccionado pueda disipar la potencia suficiente. Este parámetro depende de la temperatura máxima de funcionamiento del transistor: a medida que aumenta de la temperatura, la potencia disipada máxima disminuye. Si la potencia disipada es insuficiente - las otras características del transistor se deterioran, puede comenzar un aumento brusco en la corriente del colector, lo que conduce a un mayor calentamiento y a la destrucción del transistor.

Ucb: La tensión máxima admisible del colector-base, determinada por el valor de la tensión de ruptura de la unión p-n. La tensión depende de la corriente del colector y la temperatura del transistor.

Uce: El voltaje máximo permisible colector-emisor. Es necesario que Uce tenga un tercio más de voltaje de suministro del circuito colector. Si la carga del circuito es una bobina de relé, es necesario proporcionar protección de transistor contra sobretensiones, por ejemplo, un diodo.

Ueb: La tensión máxima permitida del emisor-base.

Ic: Corriente del colector DC máxima. La corriente del transistor también se toma con un margen de al menos 30%. Su valor depende de la temperatura del estuche del transistor o de temperatura del ambiente.

Tj: Temperatura límite de la unión PN. Es importante tener en cuenta este parámetro si el transistor funciona en condiciones extremas, por ejemplo, en un automóvil, donde su temperatura puede alcanzar los 100 grados.

ft: La frecuencia límite del coeficiente de transferencia de corriente.

Cc: Capacidad de la unión del colector. La velocidad del transistor depende de este parámetro. Cuanto menor sea, mejor.

hfe: La ganancia de corriente del transistor.

Arriba, solo se describen los parámetros más importantes de los transistores. En la hoja de datos, el fabricante indica muchos parámetros adicionales: Estado de saturación, Corriente máxima, Tensión máxima, etc.

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

BJT: 2SA1897 | KRC664E | KRC663E | SMUN5335DW | MP1526 | 3DD5287 | E3150 | 3DD2499 | 3DD4212DT | 2SC9014 | US6H23 | UMH9NFHA | UMH8NFHA | UMH6NFHA | UMH5NFHA | UMH4NFHA | UMH3NFHA | UMH33N | UMH32N | UMH2NFHA |


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