1MB05-120 Todos los transistores

 

1MB05-120 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 1MB05-120
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 100 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 9 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.5 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 600 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 150 pF
   Paquete / Cubierta: TO3P
     - Selección de transistores por parámetros

 

1MB05-120 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:194K  fuji
 1mb05-120.pdf pdf_icon

1MB05-120

Fuji Discrete Package IGBT n Outline Drawingnn Featuresn Square RBSOA Low Saturation Voltage Less Total Power Dissipation Minimized Internal Stray Inductancen Applicationsn High Power Switching A.C. Motor Controls D.C. Motor Controls Uninterruptible Power Supplyn Maximum Ratings and Characteristics n Equivalent Circuitn n Absolute Maxim

 9.1. Size:214K  fuji
 1mb05d-120.pdf pdf_icon

1MB05-120

Fuji Discrete Package IGBT n Outline Drawingnn Featuresn Square RBSOA Low Saturation Voltage Less Total Power Dissipation Minimized Internal Stray Inductancen Applicationsn High Power Switching A.C. Motor Controls D.C. Motor Controls Uninterruptible Power Supplyn Maximum Ratings and Characteristics n Equivalent Circuitn n Absolute Maxim

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History: IKW40N65ES5 | MMG400Q060B6EN | IXGH56N60A3 | IKP15N65H5 | 2MBI150VB-120-50 | MG06400D-BN4MM | STGE50NC60WD

 

 
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