SKM195GB124DN Todos los transistores

 

SKM195GB124DN - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SKM195GB124DN
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1250 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 260 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 55 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 1600 pF
   Paquete / Cubierta: MODULE
     - Selección de transistores por parámetros

 

SKM195GB124DN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:671K  semikron
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SKM195GB124DN

SEMITRANS MAbsolute Maximum RatingsValuesPT-IGBT ModulesSymbol Conditions 1)UnitsVCES 600 VVCGR RGE = 20 k 600 V SKM 195 GB 062 DIC Tcase = 25/60 C 230 / 195 ASKM 195 GAL 062 D 6)ICM Tcase = 25/60 C; tp = 1 ms 460 / 390 AVGES 20 VPtot per IGBT, Tcase = 25 C 700 WTj, (Tstg) 40 ... +150 (125) CVisol AC, 1 min. 2 500 Vhumidity DIN 40 040 Class Fcl

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History: IXGH24N170AH1 | STGE50NC60WD | VS-GB150TH120U | APT150GN120JDQ4 | 1MBI600U4-120 | 2MBI100SC-120 | MMG25H120XB6TN

 

 
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