SKM400GA123D Todos los transistores

 

SKM400GA123D - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SKM400GA123D
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 2750 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 400 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.5 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 115 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 3300 pF
   Paquete / Cubierta: MODULE
     - Selección de transistores por parámetros

 

SKM400GA123D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:539K  semikron
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SKM400GA123D

 4.1. Size:627K  semikron
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SKM400GA123D

SKM400GA12E4Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values UnitIGBTVCES Tj =25C 1200 VIC Tc =25C 616 ATj = 175 CTc =80C 474 AICnom 400 AICRM ICRM = 3xICnom 1200 AVGES -20 ... 20 VVCC = 800 VSEMITRANS 4tpsc VGE 15 V Tj =150C 10 sVCES 1200 VTj -40 ... 175 CIGBT4 ModulesInverse diodeIF Tc =25C 440 ATj = 175 CSKM400GA12E4Tc =8

 4.2. Size:412K  semikron
 skm400ga12v.pdf pdf_icon

SKM400GA123D

SKM400GA12VAbsolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values UnitIGBTVCES Tj =25C 1200 VIC Tc =25C 612 ATj = 175 CTc =80C 467 AICnom 400 AICRM ICRM = 3xICnom 1200 AVGES -20 ... 20 VVCC = 720 VSEMITRANS 4tpsc VGE 15 V Tj =125C 10 sVCES 1200 VTj -40 ... 175 CInverse diodeIF Tc =25C 440 ATj = 175 CSKM400GA12VTc =80C 329 AIFnom

 4.3. Size:554K  semikron
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SKM400GA123D

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History: MIAA10WB600TMH | MMG200D120B6UC | DM2G150SH6NE | CM50YE13-12H | CM600DXL-24S | MMG150S120B6TC | CM100RL-24NF

 

 
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