SKM400GA123D IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SKM400GA123D
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 2750 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 400 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.5 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 115 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 3300 pF
Encapsulados: MODULE
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SKM400GA123D datasheet
skm400ga12e4.pdf
SKM400GA12E4 Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values Unit IGBT VCES Tj =25 C 1200 V IC Tc =25 C 616 A Tj = 175 C Tc =80 C 474 A ICnom 400 A ICRM ICRM = 3xICnom 1200 A VGES -20 ... 20 V VCC = 800 V SEMITRANS 4 tpsc VGE 15 V Tj =150 C 10 s VCES 1200 V Tj -40 ... 175 C IGBT4 Modules Inverse diode IF Tc =25 C 440 A Tj = 175 C SKM400GA12E4 Tc =8
skm400ga12v.pdf
SKM400GA12V Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values Unit IGBT VCES Tj =25 C 1200 V IC Tc =25 C 612 A Tj = 175 C Tc =80 C 467 A ICnom 400 A ICRM ICRM = 3xICnom 1200 A VGES -20 ... 20 V VCC = 720 V SEMITRANS 4 tpsc VGE 15 V Tj =125 C 10 s VCES 1200 V Tj -40 ... 175 C Inverse diode IF Tc =25 C 440 A Tj = 175 C SKM400GA12V Tc =80 C 329 A IFnom
Otros transistores... SKM300GAR123D , SKM300GAX123D , SKM300GAY123D , SKM300GB063D , SKM300GB123D , SKM300GB124D , SKM300GB174D , SKM400GA062D , IRGP4063D , SKM400GA124D , SKM400GA173D , SKM400GA174D , SKM400GAL062D , SKM400GAL124D , SKM400GAR062D , SKM400GAR124D , SKM400GB062D .
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