SKM400GA124D Todos los transistores

 

SKM400GA124D - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SKM400GA124D
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 2750 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 600 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 77 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 3300 pF
   Paquete / Cubierta: MODULE
     - Selección de transistores por parámetros

 

SKM400GA124D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:554K  semikron
 skm400ga124d.pdf pdf_icon

SKM400GA124D

 4.1. Size:539K  semikron
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SKM400GA124D

 4.2. Size:627K  semikron
 skm400ga12e4.pdf pdf_icon

SKM400GA124D

SKM400GA12E4Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values UnitIGBTVCES Tj =25C 1200 VIC Tc =25C 616 ATj = 175 CTc =80C 474 AICnom 400 AICRM ICRM = 3xICnom 1200 AVGES -20 ... 20 VVCC = 800 VSEMITRANS 4tpsc VGE 15 V Tj =150C 10 sVCES 1200 VTj -40 ... 175 CIGBT4 ModulesInverse diodeIF Tc =25C 440 ATj = 175 CSKM400GA12E4Tc =8

 4.3. Size:412K  semikron
 skm400ga12v.pdf pdf_icon

SKM400GA124D

SKM400GA12VAbsolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values UnitIGBTVCES Tj =25C 1200 VIC Tc =25C 612 ATj = 175 CTc =80C 467 AICnom 400 AICRM ICRM = 3xICnom 1200 AVGES -20 ... 20 VVCC = 720 VSEMITRANS 4tpsc VGE 15 V Tj =125C 10 sVCES 1200 VTj -40 ... 175 CInverse diodeIF Tc =25C 440 ATj = 175 CSKM400GA12VTc =80C 329 AIFnom

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History: F3L300R12MT4-B22 | IXGH40N60B2D1 | FF200R12KE4 | 6MBP25VBA120-50 | IKZ75N65EH5 | AUIRG4BC30S-S

 

 
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