SKM400GA124D Todos los transistores

 

SKM400GA124D IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SKM400GA124D

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 2750 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 600 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 77 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 3300 pF

Encapsulados: MODULE

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SKM400GA124D datasheet

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SKM400GA124D

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SKM400GA124D

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SKM400GA124D

SKM400GA12E4 Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values Unit IGBT VCES Tj =25 C 1200 V IC Tc =25 C 616 A Tj = 175 C Tc =80 C 474 A ICnom 400 A ICRM ICRM = 3xICnom 1200 A VGES -20 ... 20 V VCC = 800 V SEMITRANS 4 tpsc VGE 15 V Tj =150 C 10 s VCES 1200 V Tj -40 ... 175 C IGBT4 Modules Inverse diode IF Tc =25 C 440 A Tj = 175 C SKM400GA12E4 Tc =8

 4.3. Size:412K  semikron
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SKM400GA124D

SKM400GA12V Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values Unit IGBT VCES Tj =25 C 1200 V IC Tc =25 C 612 A Tj = 175 C Tc =80 C 467 A ICnom 400 A ICRM ICRM = 3xICnom 1200 A VGES -20 ... 20 V VCC = 720 V SEMITRANS 4 tpsc VGE 15 V Tj =125 C 10 s VCES 1200 V Tj -40 ... 175 C Inverse diode IF Tc =25 C 440 A Tj = 175 C SKM400GA12V Tc =80 C 329 A IFnom

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