SKM400GA124D - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SKM400GA124D
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 2750 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 600 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 77 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 3300 pF
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de SKM400GA124D IGBT
SKM400GA124D Datasheet (PDF)
skm400ga12e4.pdf
SKM400GA12E4Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values UnitIGBTVCES Tj =25C 1200 VIC Tc =25C 616 ATj = 175 CTc =80C 474 AICnom 400 AICRM ICRM = 3xICnom 1200 AVGES -20 ... 20 VVCC = 800 VSEMITRANS 4tpsc VGE 15 V Tj =150C 10 sVCES 1200 VTj -40 ... 175 CIGBT4 ModulesInverse diodeIF Tc =25C 440 ATj = 175 CSKM400GA12E4Tc =8
skm400ga12v.pdf
SKM400GA12VAbsolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values UnitIGBTVCES Tj =25C 1200 VIC Tc =25C 612 ATj = 175 CTc =80C 467 AICnom 400 AICRM ICRM = 3xICnom 1200 AVGES -20 ... 20 VVCC = 720 VSEMITRANS 4tpsc VGE 15 V Tj =125C 10 sVCES 1200 VTj -40 ... 175 CInverse diodeIF Tc =25C 440 ATj = 175 CSKM400GA12VTc =80C 329 AIFnom
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