SKM400GA174D Todos los transistores

 

SKM400GA174D - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SKM400GA174D
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 2780 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1700 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 540 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.8 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 130 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 3000 pF
   Paquete / Cubierta: MODULE
     - Selección de transistores por parámetros

 

SKM400GA174D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:107K  semikron
skm400ga174d.pdf pdf_icon

SKM400GA174D

SEMITRANS MAbsolute Maximum RatingsValuesLow Loss IGBT ModulesSymbol Conditions 1)UnitsVCES 1700 VVCGR RGE = 20 k 1700 V SKM 400 GA 174 DIC; ICN Tcase = 25/75 C 540 / 400 AICM Tcase = 25/75 C; tp = 1 ms 1080 / 800 AVGES 20 VPreliminary DataPtot per IGBT, Tcase = 25 C 2780 WTj, (Tstg) 40 ... +150 (125) CVisol AC, 1 min. 4) 3400 Vhumidity DIN 40 04

 4.1. Size:548K  semikron
skm400ga173d.pdf pdf_icon

SKM400GA174D

 5.1. Size:539K  semikron
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SKM400GA174D

 5.2. Size:627K  semikron
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SKM400GA174D

SKM400GA12E4Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values UnitIGBTVCES Tj =25C 1200 VIC Tc =25C 616 ATj = 175 CTc =80C 474 AICnom 400 AICRM ICRM = 3xICnom 1200 AVGES -20 ... 20 VVCC = 800 VSEMITRANS 4tpsc VGE 15 V Tj =150C 10 sVCES 1200 VTj -40 ... 175 CIGBT4 ModulesInverse diodeIF Tc =25C 440 ATj = 175 CSKM400GA12E4Tc =8

Otros transistores... SKM300GB063D , SKM300GB123D , SKM300GB124D , SKM300GB174D , SKM400GA062D , SKM400GA123D , SKM400GA124D , SKM400GA173D , YGW60N65F1A1 , SKM400GAL062D , SKM400GAL124D , SKM400GAR062D , SKM400GAR124D , SKM400GB062D , SKM400GB123D , SKM400GB124D , SKM40GD123D .

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