SKM400GB124D IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SKM400GB124D
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 2500 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 570 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 65 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 3300 pF
Encapsulados: MODULE
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SKM400GB124D datasheet
skm400gb12t4.pdf
SKM400GB12T4 Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values Unit IGBT VCES 1200 V IC Tc =25 C 618 A Tj = 175 C Tc =80 C 475 A ICnom 400 A ICRM ICRM = 3xICnom 1200 A VGES -20 ... 20 V VCC = 800 V SEMITRANS 3 tpsc VGE 15 V Tj = 150 C 10 s VCES 1200 V Tj -40 ... 175 C Fast IGBT4 Modules Inverse diode IF Tc =25 C 440 A Tj = 175 C SKM400GB12T4 Tc =80 C
Otros transistores... SKM400GA173D , SKM400GA174D , SKM400GAL062D , SKM400GAL124D , SKM400GAR062D , SKM400GAR124D , SKM400GB062D , SKM400GB123D , CRG60T60AK3HD , SKM40GD123D , SKM40GD124D , SKM40GDL123D , SKM500GA123D , SKM500GA123S , SKM500GA124D , SKM500GA174D , SKM50GAL123D .
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