SKM400GB124D Todos los transistores

 

SKM400GB124D - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SKM400GB124D
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 2500 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 570 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 65 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 3300 pF
   Paquete / Cubierta: MODULE
     - Selección de transistores por parámetros

 

SKM400GB124D Datasheet (PDF)

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SKM400GB124D

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SKM400GB124D

SKM400GB12T4Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values UnitIGBTVCES 1200 VIC Tc =25C 618 ATj = 175 CTc =80C 475 AICnom 400 AICRM ICRM = 3xICnom 1200 AVGES -20 ... 20 VVCC = 800 VSEMITRANS3tpsc VGE 15 V Tj = 150 C 10 sVCES 1200 VTj -40 ... 175 CFast IGBT4 ModulesInverse diodeIF Tc =25C 440 ATj = 175 CSKM400GB12T4Tc =80C

 4.3. Size:772K  semikron
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SKM400GB124D

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History: NCE40ED75VT | JNG20T60PS | CM150DU-12F | NGD15N41A | APT40GP90B2DF2 | DM2G75SH6N | IGB20N65S5

 

 
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