SKM75GD124D - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SKM75GD124D
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 390 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 90 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 55 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 500 pF
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de SKM75GD124D IGBT
SKM75GD124D Datasheet (PDF)
skm75gd124d.pdf
SEMITRANS MAbsolute Maximum RatingsValuesLow Loss IGBT ModulesSymbol Conditions 1)UnitsVCES 1200 VVCGR RGE = 20 k 1200 V SKM 75 GD 124 DIC Tcase = 25/60 C 90 / 75 AICM Tcase = 25/60 C; tp = 1 ms 180 / 150 AVGES 20 VPtot per IGBT, Tcase = 25 C 390 WTj, (Tstg) 40 ... +150 (125) CVisol AC, 1 min. 2500 Vhumidity DIN 40 040 Class Fclimate DIN IEC 68 T
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History: SGW23N60UF
History: SGW23N60UF
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