SM2G100US60 Todos los transistores

 

SM2G100US60 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SM2G100US60
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 100 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 85 nS
   Paquete / Cubierta: 7PM-AA
     - Selección de transistores por parámetros

 

SM2G100US60 Datasheet (PDF)

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History: APT33GF120B2RD | FGPF4565 | FD600R12IP4D | IRG4BC30W-S | IGB15N65S5

 

 
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