SMBH1G300US60 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SMBH1G300US60
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 300 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 90 nS
Paquete / Cubierta: 7PM-BB
- Selección de transistores por parámetros
SMBH1G300US60 Datasheet (PDF)
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Otros transistores... SM2G75US120 , SM2G75US60 , SMBH1G100US120 , SMBH1G100US60 , SMBH1G150US120 , SMBH1G150US60 , SMBH1G200US120 , SMBH1G200US60 , SGT60U65FD1PT , SMBH1G400US60 , SMBH1G50US120 , SMBH1G50US60 , SMBH1G75US120 , SMBH1G75US60 , SMBL1G100US120 , SMBL1G100US60 , SMBL1G150US120 .
History: NCE20TD65BD | MP6753 | FD400R65KF1-K | FD300R12KE3 | IXA20PT1200LB | APTGT200DA170D3 | IXGM40N60
History: NCE20TD65BD | MP6753 | FD400R65KF1-K | FD300R12KE3 | IXA20PT1200LB | APTGT200DA170D3 | IXGM40N60



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
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