SMBH1G50US120 Todos los transistores

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SMBH1G50US120 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SMBH1G50US120

Polaridad de transistor: N-Channel

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc):

Tensión colector-emisor (Vce): 1200V

Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 2.4V

Tensión emisor-compuerta (Veg):

Corriente del colector DC máxima (Ic): 50A

Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 150

Tiempo de elevación: 150

Capacitancia de salida (Cc), pF:

Empaquetado / Estuche: 7PM-AA

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SMBH1G50US120 Datasheet (PDF)

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