SME6G5US120 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SME6G5US120
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 5 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.4 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 150 nS
Paquete / Cubierta: 17PM-BA
- Selección de transistores por parámetros
SME6G5US120 Datasheet (PDF)
No PDF!
Otros transistores... SME6G10US60 , SME6G15US120 , SME6G15US60 , SME6G20US120 , SME6G20US60 , SME6G25US120 , SME6G30US60 , SME6G50US60 , RJP63F3DPP-M0 , SNG201017 , SNG201025 , SNG20620A , SNG301010 , SNG30610 , SNG30610A , SNG401225 , SNG40660 .
History: HMG60N60A
History: HMG60N60A



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
irf3710 pinout | irf9530 datasheet | mj21194 | oc71 transistor | 2n3440 | bc550c | 2n3904 transistor datasheet | p75nf75