SNG30610 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SNG30610
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 60 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 10 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.5 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 600 nS
Paquete / Cubierta: TO257
- Selección de transistores por parámetros
SNG30610 Datasheet (PDF)
No PDF!
Otros transistores... SME6G25US120 , SME6G30US60 , SME6G50US60 , SME6G5US120 , SNG201017 , SNG201025 , SNG20620A , SNG301010 , FGPF4633 , SNG30610A , SNG401225 , SNG40660 , STGB10N60L , STGB10NB37LZ , STGB20NB32LZ , STGB20NB37LZ , STGB30NB60H .
History: GT40J321 | IKU06N60R | GT45G128 | KGT30N60KDA | SGT20T60SDM1P7 | SKB06N60 | FGH40N60SMD
History: GT40J321 | IKU06N60R | GT45G128 | KGT30N60KDA | SGT20T60SDM1P7 | SKB06N60 | FGH40N60SMD



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
bc550c | 2n3904 transistor datasheet | p75nf75 | d880 transistor | 2sc1845 | p60nf06 | 2sa1837 | ksc1845 transistor