STGB10N60L Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STGB10N60L 📄📄
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 125 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 15 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.95 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 700 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 1800pF pF
Encapsulados: D2PAK
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STGB10N60L datasheet
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