STGP7NB60HD Todos los transistores

 

STGP7NB60HD - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STGP7NB60HD
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 80 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 7 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.8 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 15 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 560pF pF
   Paquete / Cubierta: TO220
     - Selección de transistores por parámetros

 

STGP7NB60HD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:382K  st
 stgp7nb60hd.pdf pdf_icon

STGP7NB60HD

STGP7NB60HDSTGP7NB60HDFPN-CHANNEL 7A - 600V TO-220/FPPowerMESH IGBTTYPE VCES VCE(sat) ICSTGP7NB60HD 600 V

 4.1. Size:108K  st
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STGP7NB60HD

STGP7NB60HDSTGP7NB60HDFP N-CHANNEL 7A - 600V - TO-220/FPPowerMESH IGBTTYPE VCES VCE(sat) ICSTGP7NB60HD 600 V

 4.2. Size:318K  st
 stgp7nb60h.pdf pdf_icon

STGP7NB60HD

STGP7NB60HN-CHANNEL 7A - 600V - TO-220PowerMESH IGBTTYPE VCES VCE(sat) ICSTGP7NB60H 600 V

 5.1. Size:90K  st
 stgp7nb60s.pdf pdf_icon

STGP7NB60HD

STGD7NB60S N-CHANNEL 7A - 600V - DPAKPower MESH IGBTTYPE VCES VCE(sat) ICSTGD7NB60S 600 V

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History: STGWA60NC60WDR | LGM100HF120S2F1A | SGL5N60RUFD | AP30G120W | RJH60D5DPM | MMG50H120H6HN

 

 
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