STGW20NB60H IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STGW20NB60H
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 150 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.8 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 110 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 1200pF pF
Encapsulados: TO247
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STGW20NB60H datasheet
stgw20nb60h.pdf
STGW20NB60H N-CHANNEL 20A - 600V TO-247 PowerMESH IGBT TYPE VCES VCE(sat) IC STGW20NB60H 600 V
stgw20nb60hd.pdf
STGW20NB60HD N-CHANNEL 20A - 600V TO-247 PowerMESH IGBT TYPE VCES VCE(sat) IC STGW20NB60HD 600 V
stgp20nb60k stgw20nb60k.pdf
STGP20NB60K STGW20NB60K N-CHANNEL 20A - 600V - TO-220/TO-247 SHORT CIRCUIT PROOF PowerMESH IGBT TYPE VCES VCE(sat) IC STGP20NB60K 600 V
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History: STGB3NB60SD | STGF30M65DF2
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