BUK856-800A Todos los transistores

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BUK856-800A - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BUK856-800A

Polaridad de transistor: N-Channel

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 125W

Tensión colector-emisor (Vce): 800V

Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 3.5V

Tensión emisor-compuerta (Veg):

Corriente del colector DC máxima (Ic): 24A

Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 150

Tiempo de elevación: 400

Capacitancia de salida (Cc), pF:

Empaquetado / Estuche: TO220AB

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BUK856-800A Datasheet (PDF)

3.1. buk856-400 iz 2.pdf Size:65K _philips

BUK856-800A
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Philips Semiconductors Product specification Insulated Gate Bipolar Transistor BUK856-400 IZ Protected Logic-Level IGBT GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA Protected N-channel logic-level SYMBOL PARAMETER MIN. TYP. MAX. UNIT insulated gate bipolar power transistor in a plastic envelope, V(CL)CER Collector-emitter clamp voltage 370 410 500 V intended for automotive ignition VCEsat C

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