CT20ASJ-8 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CT20ASJ-8
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 400 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 6 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 130(pulse) A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
Paquete / Cubierta: MP3
Búsqueda de reemplazo de CT20ASJ-8 - IGBT
CT20ASJ-8 Datasheet (PDF)
ct20asj-8.pdf
MITSUBISHI INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORCT20ASJ-8STROBE FLASHER USECT20ASJ-8 OUTLINE DRAWING Dimensions in mm6.50.5 0.15.0 0.241.00.9MAX.0.5 0.22.3 2.30.81 2 3wrq GATEq w COLLECTORe EMITTERVCES ............................................................................... 400V r COLLECTORICM ................................................
ct20as-8.pdf
MITSUBISHI INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORCT20AS-8STROBE FLASHER USECT20AS-8 OUTLINE DRAWING Dimensions in mm6.50.5 0.15.0 0.241.00.9MAX.0.5 0.22.3 2.30.81 2 3wrq GATEq w COLLECTORe EMITTERr COLLECTOReVCES ................................................................................400VICM ..............................................
ct20asl-8.pdf
MITSUBISHI INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORCT20ASL-8STROBE FLASHER USECT20ASL-8 OUTLINE DRAWING Dimensions in mm6.50.5 0.15.0 0.241.00.9MAX.0.5 0.22.3 2.30.81 2 3wrq GATEq w COLLECTORe EMITTERr COLLECTOReVCES ................................................................................400VICM ............................................
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Liste
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