IXBT20N300 Todos los transistores

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IXBT20N300 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXBT20N300

Polaridad de transistor: N-Channel

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc):

Tensión colector-emisor (Vce): 3000V

Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 3.2V

Tensión emisor-compuerta (Veg):

Corriente del colector DC máxima (Ic): 50A

Temperatura operativa máxima (Tj), °C:

Tiempo de elevación: 504

Capacitancia de salida (Cc), pF:

Empaquetado / Estuche: TO268

Búsqueda de reemplazo de IXBT20N300 - IGBT

 

IXBT20N300 Datasheet (PDF)

1.1. ixbt20n300.pdf Size:174K _igbt

IXBT20N300
IXBT20N300

Preliminary Technical Information High Voltage, High Gain VCES = 3000V IXBH20N300 BIMOSFETTM Monolithic IXBT20N300 IC110 = 20A Bipolar MOS Transistor ≤ VCE(sat) ≤ ≤ 3.2V ≤ ≤ TO-247 (IXBH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TC = 25°C to 150°C 3000 V G C (TAB) VCGR TJ = 25°C to 150°C, RGE = 1MΩ 3000 V C E VGES Continuous ± 20 V VGEM Transient ± 30 V

1.2. ixbt20n300hv.pdf Size:198K _igbt

IXBT20N300
IXBT20N300

Advance Technical Information High Voltage, High Gain IXBT20N300HV VCES = 3000V BIMOSFETTM Monolithic IC110 = 20A Bipolar MOS Transistor ≤ VCE(sat) ≤ ≤ 3.2V ≤ ≤ TO-268 Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TC = 25°C to 150°C 3000 V G VCGR TJ = 25°C to 150°C, RGE = 1MΩ 3000 V E VGES Continuous ± 20 V C (Tab) VGEM Transient ± 30 V IC25 TC = 25°C 50 A G

2.1. ixbt20n360hv.pdf Size:288K _igbt

IXBT20N300
IXBT20N300

Advance Technical Information High Voltage, High Gain VCES = 3600V IXBT20N360HV BIMOSFETTM Monolithic IXBH20N360HV IC110 = 20A Bipolar MOS Transistor  VCE(sat)  3.4V    TO-268HV (IXBT) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VCES TJ = 25°C to 150°C 3600 V E C (Tab) VCGR TJ = 25°C to 150°C, RGE = 1M 3600 V VGES Continuous ± 20 V TO-247HV (IXBH) VGEM

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