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IXGA4N100 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXGA4N100
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 40 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1000 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 8 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.2 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 25 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 21 pF
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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Principales características: IXGA4N100

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IXGA4N100

Advanced Technical Information IXGA 4N100 VCES = 1000 V IGBT IXGP 4N100 IC25 = 8 A VCE(sat) = 2.7 V Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 1000 V TO-220AB (IXGP) VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 MW 1000 V VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V G C E IC25 TC = 25 C8 A IC90 TC = 90 C4 A ICM TC = 25 C, 1 ms 16 A TO-263 AA (IXGA) SSOA VGE = 1

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IXGA4N100

VCES = 300V IXGA42N30C3 GenX3TM 300V IGBT IC110 = 42A IXGH42N30C3 VCE(sat) 1.85V High Speed PT IGBTs for IXGP42N30C3 50-150kHz switching tfi typ = 65ns TO-263 (IXGA) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 300 V G VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 300 V E C (TAB) VGES Continuous 20 V TO-247 (IXGH) VGEM Transient 30 V

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 ixga48n60c3-ixgh48n60c3-ixgp48n60c3.pdf pdf_icon

IXGA4N100

IXGA48N60C3 VCES = 600V GenX3TM 600V IGBT IXGH48N60C3 IC110 = 48A IXGP48N60C3 VCE(sat) 2.5V High Speed PT IGBTs for tfi(typ) = 38ns 40-100kHz switching TO-263 (IXGA) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VCES TC = 25 C to 150 C 600 V E (TAB) VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 600 V TO-247 (IXGH) VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V I

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 ixga48n60c3.pdf pdf_icon

IXGA4N100

GenX3TM 600V IGBTs IXGI48N60C3 VCES = 600V IXGA48N60C3 IC110 = 48A IXGP48N60C3 2.5V High-Speed PT IGBTs for VCE(sat) 40-100kHz Switching IXGH48N60C3 tfi(typ) = 38ns Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TC = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 600 V Features VGES Continuous 20 V Optimized for Low Switching Losses VGEM Tra

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