IXGF30N400 Todos los transistores

 

IXGF30N400 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXGF30N400
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 160 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 4000 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 30 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.1(max) V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 146 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 95 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 135 nC
   Paquete / Cubierta: ISOPLUS-I4-PAK
 

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IXGF30N400 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:191K  ixys
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IXGF30N400

High Voltage IGBT VCES = 4000VIXGF30N400For Capacitor DischargeIC25 = 30AApplicationsVCE(sat) 3.1V( Electrically Isolated Tab)ISOPLUS i4-PakTMSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 4000 VVGES Continuous 20 V12Isolated TabVGEM Transient 30 V5IC25 TC = 25C 30 A1 = Gate 5 = CollectorIC110 TC = 110C 15 A

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 ixgf36n300.pdf pdf_icon

IXGF30N400

VCES = 3000VHigh Voltage IGBT IXGF36N300IC25 = 36AFor Capacitor DischargeApplicationsVCE(sat) 2.7V( Electrically Isolated Tab)ISOPLUS i4-PakTMSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 3000 V12Isolated TabVGES Continuous 20 V5VGEM Transient 30 V1 = Gate 5 = CollectorIC25 TC = 25C 36 A2 = EmitterIC110 TC =

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 ixgf32n170.pdf pdf_icon

IXGF30N400

VCES = 1700VHigh Voltage IGBT IXGF32N170IC110 = 19AVCE(sat) 3.5V( Electrically Isolated Tab)tfi(typ) = 250nsISOPLUS i4-PakTMSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 1700 V12VGES Continuous 20 V5VGEM Transient 30 VISOLATED TABIC25 TC = 25C 44 AIC110 TC = 110C 19 AICM TC = 25C, 1ms 200 A1 = Gate 5 = Col

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History: TIG056BF-1E | 2MBI300P-140 | CM150TU-12F | SKM100GAX173D | SKM50GAL12T4 | MIXA10WB1200TMH | T0570VB25G

 

 
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