IXGH20N120A3 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXGH20N120A3
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 180 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.3 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 44 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 80 pF
Encapsulados: TO247
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IXGH20N120A3 datasheet
ixgh20n120a3.pdf
VCES = 1200V GenX3TM 1200V IGBTs IXGA20N120A3 IC110 = 20A IXGP20N120A3 VCE(sat) 2.5V IXGH20N120A3 Ultra-Low Vsat PT IGBTs for up to 3 kHz Switching TO-263 AA (IXGA) G E C (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220AB (IXGP) VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 1200 V VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V G
ixga20n120a3 ixgh20n120a3 ixgp20n120a3.pdf
VCES = 1200V GenX3TM 1200V IGBTs IXGA20N120A3 IC110 = 20A IXGP20N120A3 VCE(sat) 2.5V IXGH20N120A3 Ultra-Low Vsat PT IGBTs for up to 3 kHz Switching TO-263 AA (IXGA) G E C (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220AB (IXGP) VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 1200 V VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V G
ixgh20n120b ixgt20n120b.pdf
IXGH 20N120B VCES = 1200 V High Voltage IGBT IXGT 20N120B IC25 = 40 A VCE(sat) = 3.4 V Preliminary Data Sheet tfi(typ) = 160 ns Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-268 (IXGT) VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 1200 V G VGES Continuous 20 V E C (TAB) VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C40 A TO-247 AD (IXGH) IC110 TC = 110 C20 A ICM
ixgh20n120.pdf
VCES = 1200 V IXGH 20N120 IGBT IC25 = 40 A IXGT 20N120 VCE(sat) = 2.5 V tfi(typ) = 380 ns Preliminary Data Sheet Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 (IXGH) VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 1200 V VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V G D S IC25 TC = 25 C40 A IC90 TC = 90 C20 A TO-268 (IXGT) ICM TC = 25 C, 1 ms 80 A
Otros transistores... IXGH15N120B2D1, IXGH16N170, IXGH16N170A, IXGH16N170AH1, IXGH16N60B2D1, IXGH16N60C2D1, IXGH20N100A3, IXGH20N120, GT60N321, IXGH20N120B, IXGH20N140C3H1, IXGH22N170, IXGH24N120C3, IXGH24N120C3H1, IXGH24N170, IXGH24N170A, IXGH24N170AH1
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Liste
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IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
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