IXGH40N60B2 Todos los transistores

 

IXGH40N60B2 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXGH40N60B2
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 300 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 75 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.7(max) V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 20 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 180 pF
   Paquete / Cubierta: TO247
     - Selección de transistores por parámetros

 

IXGH40N60B2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:578K  ixys
 ixgh40n60b2 ixgt40n60b2.pdf pdf_icon

IXGH40N60B2

Advance Technical DataVCES = 600 VIXGH 40N60B2HiPerFASTTM IGBTIC25 = 75 AIXGT 40N60B2VCE(sat)

 ..2. Size:575K  ixys
 ixgh40n60b2.pdf pdf_icon

IXGH40N60B2

Advance Technical DataVCES = 600 VIXGH 40N60B2HiPerFASTTM IGBTIC25 = 75 AIXGT 40N60B2VCE(sat)

 0.1. Size:606K  ixys
 ixgh40n60b2d1 ixgt40n60b2d1.pdf pdf_icon

IXGH40N60B2

VCES = 600 VHiPerFASTTM IGBT IXGH 40N60B2D1IC25 = 75 AIXGT 40N60B2D1VCE(sat)

 0.2. Size:513K  ixys
 ixgh40n60b2d1.pdf pdf_icon

IXGH40N60B2

VCES = 600 VHiPerFASTTM IGBT IXGH 40N60B2D1IC25 = 75 AIXGT 40N60B2D1VCE(sat)

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History: BSM200GA170DN2S | DL2G50SH6N | MMG200DR120B | IXGT30N60C3D1 | SGW5N60RUF | IXGA7N60CD1 | HYG30P120H1K1

 

 
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