IXGH72N60A3 Todos los transistores

 

IXGH72N60A3 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXGH72N60A3

Polaridad de transistor: N-Channel

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc):

Tensión colector-emisor (Vce): 600

Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 1.35

Tensión emisor-compuerta (Veg):

Corriente del colector DC máxima (Ic): 75

Temperatura operativa máxima (Tj), °C:

Tiempo de elevación: 250

Capacitancia de salida (Cc), pF:

Empaquetado / Estuche: TO247

Búsqueda de reemplazo de IXGH72N60A3 - IGBT

 

IXGH72N60A3 Datasheet (PDF)

1.1. ixgh72n60a3.pdf Size:198K _ixys

IXGH72N60A3
IXGH72N60A3

IXGH72N60A3 VCES = 600V GenX3TM 600V IGBT IXGT72N60A3 IC110 = 72A Ultra Low Vsat PT IGBT for ≤ VCE(sat) ≤ ≤ 1.35V ≤ ≤ up to 5kHz switching tfi(typ) = 250ns TO-247 (IXGH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TC = 25°C to 150°C 600 V VCGR TJ = 25°C to 150°C, RGE = 1MΩ 600 V VGES Continuous ± 20 V VGEM Transient ± 30 V G C C (TAB) E IC25 TC = 25°C (lim

1.2. ixgh72n60c3.pdf Size:164K _ixys

IXGH72N60A3
IXGH72N60A3

VCES = 600V GenX3TM 600V IGBT IXGH72N60C3 IC110 = 72A ≤ ≤ VCE(sat) ≤ 2.5V ≤ ≤ tfi (typ) = 55ns High-Speed PT IGBT for 40-100kHz Switching Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD VCES TJ = 25°C to 150°C 600 V VCGR TJ = 25°C to 150°C, RGE = 1MΩ 600 V VGES Continuous ±20 V G VGEM Transient ±30 V C Tab E IC25 TC = 25°C (Limited by Leads) 75 A IC

 1.3. ixgh72n60b3.pdf Size:186K _ixys

IXGH72N60A3
IXGH72N60A3

GenX3TM B3-Class VCES = 600V IXGH72N60B3 IC110 = 72A IGBTs IXGT72N60B3 ≤ VCE(sat) ≤ ≤£ 1.80V ≤ ≤ tfi(typ) = 90ns Medium Speed low Vsat PT IGBTs 5-40 kHz Switching TO-247 AD (IXGH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25°C to 150°C 600 V VCGR TJ = 25°C to 150°C, RGE = 1MΩ 600 V G VGES Continuous ±20 V C (TAB) E VGEM Transient ±30 V IC25 TC = 2

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