IXGH72N60A3 Todos los transistores

 

IXGH72N60A3 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXGH72N60A3
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 540 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 75 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.35(max) V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 34 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 360 pF
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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IXGH72N60A3 PDF specs

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IXGH72N60A3

IXGH72N60A3 VCES = 600V GenX3TM 600V IGBT IXGT72N60A3 IC110 = 72A Ultra Low Vsat PT IGBT for VCE(sat) 1.35V up to 5kHz switching tfi(typ) = 250ns TO-247 (IXGH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TC = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 600 V VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V G C C (TAB) E IC25 TC = 25 C (lim... See More ⇒

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IXGH72N60A3

VCES = 600V GenX3TM 600V IGBT IXGH72N60C3 IC110 = 72A VCE(sat) 2.5V tfi (typ) = 55ns High-Speed PT IGBT for 40-100kHz Switching Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 600 V VGES Continuous 20 V G VGEM Transient 30 V C Tab E IC25 TC = 25 C (Limited by Leads) 75 A IC... See More ⇒

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IXGH72N60A3

GenX3TM B3-Class VCES = 600V IXGH72N60B3 IC110 = 72A IGBTs IXGT72N60B3 VCE(sat) 1.80V tfi(typ) = 90ns Medium Speed low Vsat PT IGBTs 5-40 kHz Switching TO-247 AD (IXGH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 600 V G VGES Continuous 20 V C (TAB) E VGEM Transient 30 V IC25 TC = 2... See More ⇒

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